クロスセクションポリッシャ(CP)

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装置概要

本装置は走査型電子顕微鏡(SEM)の綺麗で歪みのない断面を加工する装置です。試料面上にセットされた遮蔽板にArイオンビームを垂直に照射し、エッチングされる領域と遮蔽される領域の境界に沿って断面を形成させます。金属、セラミックス、プラスチック等、機械研磨では難しい様々な材料で断面加工することが可能です。本装置は電子後方散乱回折(EBSD)解析の前処理にも有用です。

装置仕様

1.　装 置

• 日本電子株式会社　SM-09010

2.　仕 様

[CP]

• イオン加速電圧
  2～6 kV
• イオンビーム径半値幅
  500 µm (加速電圧 6 kV、試料Si)
• ミリングスピード
  1.3 µm/min 以上 (加速電圧 6 kV、試料Si)
• 最大搭載試料サイズ
  幅11 mm × 長さ9 mm × 高さ2 mm
• 試料移動範囲
  X軸 ±3 mm, Y軸 ±3 mm
• 試料角度調節範囲
  ±5deg;
• 使用ガス
  アルゴンガス
• 主排気装置
  ターボ分子ポンプ